在中興通訊宣布5G基站7nm芯片實(shí)現(xiàn)商用的同一天，中芯國際第二代FinFET工藝也湊巧曝出新進(jìn)展。

10月11日，珠海市委機(jī)關(guān)報(bào)《珠海特區(qū)報(bào)》發(fā)布報(bào)道，IP和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技已完成全球首個(gè)基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次測試通過。

受此消息刺激，陰跌已久的中芯國際，今天A股和港股均大幅上漲，帶動(dòng)A股半導(dǎo)體概念紛紛飄紅。

中芯國際A股和港股漲幅均一度接近14%，收盤漲幅在12%左右，半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商中微公司、北方華創(chuàng)、安集科技等漲幅也超過5%。

關(guān)于N+1工藝，中芯國際聯(lián)合CEO梁孟松年初曾透露，該工藝在功率和穩(wěn)定性方面7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機(jī)，但在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的。

所謂成功流片，中科院半導(dǎo)體所相關(guān)人士向觀察者網(wǎng)介紹，就是在實(shí)驗(yàn)室得到性能達(dá)到指標(biāo)的器件的意思。而要實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn)，器件的可靠性、退化機(jī)制等一些特性還需大量的數(shù)據(jù)支持和反復(fù)檢驗(yàn)。

《珠海特區(qū)報(bào)》報(bào)道截圖

“國產(chǎn)版7nm芯片制造取得突破”

在一篇題為《“國產(chǎn)芯”突圍刻不容緩》的報(bào)道中，《珠海特區(qū)報(bào)》寫道：“芯動(dòng)科技首個(gè)基于中芯國際先進(jìn)工藝的芯片流片和測試成功，不僅意味著具有自主知識產(chǎn)權(quán)的‘國產(chǎn)芯’再次打破國外壟斷，同時(shí)也說明‘國產(chǎn)版’的7nm芯片制造技術(shù)已經(jīng)得到突破。”

《珠海特區(qū)報(bào)》報(bào)道截圖

事實(shí)上，流片是芯片量產(chǎn)前的一個(gè)必要步驟。為了測試集成電路設(shè)計(jì)是否成功，需要對芯片進(jìn)行試生產(chǎn)，以檢驗(yàn)電路是否具備所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大規(guī)模地量產(chǎn)芯片;反之，就需要找出其中的原因，并進(jìn)行相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。

中科院半導(dǎo)體所相關(guān)人士告訴觀察者網(wǎng)：“在技術(shù)交付之前，會(huì)經(jīng)歷一個(gè)用戶試用的階段，分不同的情況，也許流片之后幾個(gè)月或者幾年才能真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。”

中芯國際官網(wǎng)截圖

就在1個(gè)月前(9月18日)，中芯國際在“上證e互動(dòng)”回答投資者提問時(shí)披露：“FinFET N+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。”

雖然中芯國際從未證實(shí)，但外界一直猜測“N+1”就是該公司的7nm工藝。

今年2月，中芯國際聯(lián)合CEO梁孟松在財(cái)報(bào)會(huì)議上首次披露，在功率和穩(wěn)定性方面，N+1和7nm工藝非常相似，唯一區(qū)別在于性能方面，N+1工藝提升較小。

談到具體數(shù)據(jù)，他透露，中芯國際N+1工藝和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市場基準(zhǔn)性能提升應(yīng)該是35%，所以該公司的N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的。

在此之前，中芯國際曾向荷蘭阿斯麥(ASML)訂購一臺EUV光刻機(jī)，用于下一代工藝制造，價(jià)值高達(dá)1.5億美元，原計(jì)劃在2019年初交付。但在美國政府阻擾之下，這項(xiàng)交易至今仍未完成。

對于外界“沒有EUV光刻機(jī)就無法實(shí)現(xiàn)下一代工藝開發(fā)”的質(zhì)疑，梁孟松提到，在當(dāng)下的計(jì)劃中，N+1和N+2工藝都不會(huì)使用EUV設(shè)備，等到設(shè)備就緒以后，N+2才會(huì)轉(zhuǎn)而使用EUV設(shè)備。

福布斯中文網(wǎng)也在今年3月的報(bào)道中指出，中芯國際的7nm工藝發(fā)展跟臺積電路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+。

需要注意的是，目前世界上可以量產(chǎn)7nm芯片的晶圓代工廠商僅臺積電和三星兩家，IDM廠商英特爾10nm產(chǎn)品剛上市不久，7nm芯片可能推遲至2023年。這意味著，中芯有望在制程上趕超英特爾。

今年二季度全球晶圓代工市場份額：臺積電51.5%，三星18.8%;GlobalFoundries(格芯)7.4%，聯(lián)電7.3%，中芯國際4.8%。數(shù)據(jù)來源：TrendForce

與長電科技陷合同糾紛

在官網(wǎng)發(fā)布的新聞中，芯動(dòng)科技提到，自2019年始，該公司在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下，投入數(shù)千萬元設(shè)計(jì)優(yōu)化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片經(jīng)過數(shù)月多輪測試迭代，助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。

觀察者網(wǎng)梳理發(fā)現(xiàn)，芯動(dòng)科技官網(wǎng)還有多條與中芯國際相關(guān)的新聞。例如，榮膺中芯連續(xù)四年(2013年-2016年)最佳合作伙伴、基于中芯國際14nm工藝的多款高速接口IP研發(fā)及量產(chǎn)成功等。

官網(wǎng)截圖

啟信寶信息顯示，芯動(dòng)科技全稱為“武漢芯動(dòng)科技有限公司”，成立于2006年7月，注冊資本1000萬元;控股股東為敖繼康，持股94.8%。

最初，芯動(dòng)科技業(yè)務(wù)是做光通信芯片，后來轉(zhuǎn)型做比特幣挖礦機(jī)芯片，曾推出多款礦機(jī)芯片，一度與比特大陸、嘉楠科技、億邦國際等礦機(jī)廠商展開競爭。在比特幣礦機(jī)市場遇冷之后，該公司才開始轉(zhuǎn)向其他IP和定制芯片開發(fā)。

啟信寶信息截圖

官網(wǎng)介紹：“芯動(dòng)科技是中國芯片IP和芯片定制的一站式領(lǐng)軍企業(yè)，提供全球主流代工廠(臺積電/三星/格芯/中芯國際/聯(lián)華電子/英特爾/上海華力/武漢新芯等)，從180nm到5nm工藝全套高速混合電路IP核和ASIC定制解決方案，尤其22nm以下FinFET工藝全覆蓋，是迄今為止國內(nèi)唯一具備兩家代工廠(臺積電、三星)5nm工藝庫和設(shè)計(jì)流片能力的技術(shù)提供商。”

“所有IP和產(chǎn)品全自主可控，支持了華為海思、中興通訊、瑞芯微、君正、AMD、Microsoft、Amazon、Microchip、Cypress、Micron、Synaptics、Google、OnSemi等國內(nèi)外知名企業(yè)數(shù)十億顆芯片量產(chǎn),連續(xù)10年中國市場份額遙遙領(lǐng)先。”芯動(dòng)科技在自我介紹時(shí)稱。

官網(wǎng)截圖

值得注意的是，在與眾多芯片公司開展合作的同時(shí)，芯動(dòng)科技也曾卷入不少商業(yè)糾紛。

今年4月，芯動(dòng)科技因合同履行爭議，在無錫起訴封測廠商長電科技并發(fā)起索賠2500萬美元。

該公司稱，芯動(dòng)與長電科技在2018年3月簽訂《委托芯片封裝設(shè)計(jì)及加工合同》，后者向其提供芯片封裝服務(wù)，由于封裝質(zhì)量不合格，造成芯片不能正常工作，給其造成來料成本損失達(dá)1415.1萬美元，被長電科技暫扣的芯片及庫存晶圓損失達(dá)1286.4萬美元，損失共計(jì)2500萬美元。

公告截圖

長電科技在公告中披露，注冊于薩摩亞的芯動(dòng)技術(shù)公司(芯動(dòng)科技的海外公司)自2017年8月起委托長電科技控股子公司星科金朋為其比特幣礦機(jī)芯片提供芯片封裝服務(wù)，至2018年3月底，芯動(dòng)應(yīng)付星科金朋封裝測試服務(wù)費(fèi)約800萬美元，至2018年6月，應(yīng)付服務(wù)費(fèi)增加至1325萬美元。

但隨后，芯動(dòng)以星科金朋封裝測試的芯片質(zhì)量不合格為由，拒絕支付全部服務(wù)費(fèi)1325萬美元。

對此，長電科技及控股子公司星科金朋暫扣了芯動(dòng)公司交由星科金朋封裝測試的芯片及庫存晶圓。

湊巧的是，在《珠海特區(qū)報(bào)》發(fā)布中芯國際N+1工藝流片成功消息的當(dāng)天，中興通訊副總裁李暉透露，在5G無線基站、交換機(jī)等設(shè)備的主控芯片上，中興自研的7nm芯片已實(shí)現(xiàn)市場商用。

值得一提的是，2018年年中，招商證券在點(diǎn)評中興通訊時(shí)表示：“基站芯片自給率幾乎為零，是中興通訊在禁運(yùn)事件中最為棘手的問題。”

關(guān)鍵詞： 中芯國際7nm制程