臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)展順利，2nm工藝技術(shù)已傳出

去年年底，臺(tái)積電在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦3納米生產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布啟動(dòng)3納米大規(guī)模生產(chǎn)。此前，三星早在6月份就已經(jīng)宣布開(kāi)啟3納米工藝制程生產(chǎn)，而臺(tái)積電在原先的規(guī)劃中打算在9月正式量產(chǎn)，但是因?yàn)橐恍┰蜓悠诘侥甑住Ｈ缃瘢_(tái)積電3nm工藝進(jìn)展順利，有關(guān)2nm工藝技術(shù)的消息也已傳出。

據(jù)報(bào)道，南科芯片18廠是臺(tái)積電5納米以及3納米芯片的生產(chǎn)基地，其中芯片18廠5至9期則是3納米的生產(chǎn)基地。根據(jù)臺(tái)積電此前的說(shuō)法，臺(tái)積電的N3制程進(jìn)度符合預(yù)期，將在2022年下半年量產(chǎn)并具備良好良品率。在HPC(高性能計(jì)算機(jī)群)和智能手機(jī)相關(guān)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，N3制程2023年將穩(wěn)定量產(chǎn)。

而在3納米制程的加強(qiáng)版上，臺(tái)積電表示其研發(fā)成果也要優(yōu)于預(yù)期，將具有更好的效能、功耗以及良品率，能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)以及HPC相關(guān)應(yīng)用在3nm時(shí)代提供完整的平臺(tái)支持，而N3E制程也預(yù)計(jì)在2023年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。目前已經(jīng)確認(rèn)蘋(píng)果將成為臺(tái)積電3nm工藝的首位客戶(hù)，將在A17芯片上首發(fā)該工藝芯片。

同時(shí)有消息表明，原先臺(tái)積電的3納米客戶(hù)為英特爾，但由于英特人的MeteorLake核顯訂單延期，此舉大幅沖擊臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，造成3nm制程自今年下半年至明年首波客戶(hù)僅剩蘋(píng)果，產(chǎn)品包含M系列芯片及A17芯片。因此，臺(tái)積電已決議放緩其擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度，以確保產(chǎn)能不會(huì)因過(guò)度閑置而導(dǎo)致成本壓力。

不過(guò)又有消息稱(chēng)，原本打算今年推出的M3系列芯片也延期至明年，由于臺(tái)積電方面3nm進(jìn)程放緩，蘋(píng)果將優(yōu)先保障A17芯片的足量供應(yīng)。除此之外，臺(tái)積電在提交給股東的年度報(bào)告中，提到了有關(guān)下一代2nm工藝的詳細(xì)信息。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)表示，臺(tái)積電正為預(yù)計(jì)于2025年開(kāi)始量產(chǎn)的2nm技術(shù)(N2)做準(zhǔn)備，該制程技術(shù)將在新竹和臺(tái)中科學(xué)園區(qū)生產(chǎn)。2nm技術(shù)將采用納米片(Nanosheet)電晶體結(jié)構(gòu)，并提供全制程效能和功耗效率的效益。相較于N3E，N2在相同功耗下速度增快10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%，以滿(mǎn)足日益增加的節(jié)能運(yùn)算需求。

臺(tái)積電還表示，N2技術(shù)研發(fā)正在有序推進(jìn)，將于2024年試產(chǎn)，并且于2025年量產(chǎn)。同時(shí)N4工藝也已經(jīng)在去年量產(chǎn)，臺(tái)積電還推出了N4P和N4X工藝，逐步在各個(gè)工藝帶來(lái)更加先進(jìn)的技術(shù)。

今年下半年，更高性能、更低功耗和更高良率的N3E工藝也即將量產(chǎn)，不過(guò)今年仍只有蘋(píng)果A17芯片會(huì)采用3nm工藝，這也讓iPhone 15系列在今年格外擁有競(jìng)爭(zhēng)力。

關(guān)鍵詞： 臺(tái)積電3nm晶圓代工價(jià)格暴漲 臺(tái)積電主